A Guangmai Technology professzionálisanSötétsárga színű SMD LED 3030 2835 3V 6V.

Állítható széles sávkülönbségének köszönhetően az InGaN fólia széles alkalmazási kilátásokkal rendelkezik a látható fénymezőben. A mikro-LED színes kijelző használata az egyik legnagyobb potenciállal rendelkezik. Jövő okostelefonok, órák, virtuális valóság szemüveg, stb A kis méretű kijelzők a mikro-LED technológia előnyeit élvezhetik.

Jelenleg a mikro-LED technológia két nagy kihívással néz szembe. Az első az, hogy nagyon nehéz megvalósítani a tömegátadási technológiát, a másik pedig a hatékony és megbízható piros lámpás mikro-LED chipek hiánya. A jelenlegi piros LED AlGaInP anyagból készül, és hatékonysága a normál chipméret alatt legalább 60% -kal nagyobb. Ha azonban a chip mérete mikrométerek sorrendjére csökken, hatékonysága drasztikusan 1% alá csökken. Ezenkívül az AlGaInP anyag rossz mechanikai tulajdonságai új nehézségeket okoznak a tömegátadásban, mivel a tömegátadás megköveteli, hogy az anyag jó mechanikai szilárdsággal rendelkezzen, hogy elkerülje a repedéseket a forgácskezelés és elhelyezés során.

Az InGaN anyag nemcsak jobb mechanikai stabilitással és rövidebb furatdifúciós hosszaval rendelkezik, hanem kompatibilis az InGaN-alapú zöld és kék mikro-LED-ekkel is. Ez egy jobb választás a piros mikro-LED-ek. Az InGaN-alapú vörös fény kvantumkútnak azonban komoly problémája van az indium szegregációval, ami a vörös fény kvantumkút nem radiatív rekombinációjának növekedéséhez vezet, ezáltal csökkentve a hatékonyságot. Az elmúlt 20 évben a kutatás, az energia-konverziós hatékonyság InGaN-alapú piros LED-ek kevesebb, mint 2,5%. Az indium szegregáció problémája súlyosan hátráltatta az InGaN-alapú vörös LED-ek fejlődését. Ezért az indium szegregáció problémájának megoldása a nagy hatékonyságú InGaN-alapú vörös LED-ek megszerzésének kulcsa.

A közelmúltban a Nanchang Egyetem tudósának, Jiang Fengyinek a kutatócsoportja bemutatta legújabb, nagy hatékonyságú InGaN-alapú narancssárga-piros LED-es eredményeit a Photonics Research 8. kötetében, 2020. 11. számában.

a) Nagy fényhatékonyságú narancssárga LED epitaxiális anyagszerkezet sematikus ábrája b) keresztmetszetének TEM vizsgálati eredményei

Ez a munka a szilícium szubsztrát gallium-nitrid technológián alapul, bevezette az indium-gallium-nitrid vörös fény kvantumkutat és a sárga fény kvantum kút alternatív növekedési módszert, kombinálva a V-alakú gödör technológiával, ezáltal nagymértékben enyhítve a vörös fény kvantumkút magas inkompozíciós szegregációs problémáját. A V-alakú p-n csomópont és a kvantumkút réstechnika alapján a vörös fény kvantumkút sugárzás-rekombinációs sebessége jelentősen megnő.

Ezzel a technológiával sikeresen elkészítettünk egy sor nagy hatékonyságú InGaN-alapú narancssárga-piros LED-et. Ha a kibocsátási hullámhosszak 594, 608 és 621 nm, a teljesítmény-konverziós hatékonyság 30,1%, 24,0%, illetve 16,8%. Összehasonlítva a korábban jelentett eredmények ugyanazon hullámsáv InGaN-alapú LED, a fényhatékonyság körülbelül tízszer nagyobb.

A kutatók úgy vélik, hogy ez a technológia több fejlesztési lehetőség a jövőben. Ugyanakkor a csapat kísérleti eredményei azt is bizonyítják, hogy az InGaN anyagok nagy potenciállal és fényes kilátásokkal rendelkeznek a piros fény pixel chipek gyártásában a megjelenítési alkalmazásokhoz.

amber and yellow color